董际臣 董际臣

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Tel: 13054528052  E-mail: dongjichen@iccas.ac.cn

董际臣，生于1989年4月，2010年6月于山东大学材料科学与工程学院获得理学学士学位，2013年6月于山东大学材料科学与工程学院获得工学硕士学位（导师：李辉教授），2016年10月于香港城市大学机械与生物医药工程学院获得博士学位（导师：张开黎教授、丁峰教授）。2016年11月至2020年10月于韩国基础科学研究院多维碳材料中心进行博士后阶段的研究工作（导师：丁峰教授）。2020年11月-至今，中国科学院化学研究所研究员，博士生导师。

二、研究领域

1．二维纳米材料合成机制的理论研究；

2．纳米材料的力学及电学性质的理论研究；

致力于二维纳米材料单晶的生长动力学、二维晶粒融合机制、大尺寸单晶二维纳米材料制备及低维纳米材料的力学及电学行为等方面开展了系统深入的工作，取得了系列重要进展。自2010年以来共发表SCI收录论文33篇，其中第一作者和通讯作者15篇，包括Nat. Commun., Angew. Chem. Int. Ed. Engl.，Adv. Mater.，ACS nano, Chem. Sci.，NPG Asia Materials，Nano Res.，Nanoscale，Nano Energy，Phys. Rev. Materials，J. Phys. Chem. C等; 以理论合作者身份与实验组共同发表高水平论文，包括Science两篇,Nature一篇,Nature Nanotech.一篇等。全部论文近年总引用近900次，他引860余次。

代表性成果：

  1. J. C. Dong, L. N. Zhang, X. Y. Dai, F. Ding*. 2020, The epitaxy of 2D materials growth. Nat. Commun. 2020, 11, 5862.
  2. J. C. Dong, D. C. Geng, F. N. Liu, F. Ding*. Formation of Twinned Graphene Polycrystals. Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 2019, 58, 7723-7727.
  3. J. C. Dong, L. N. Zhang, F. Ding*.  Kinetics of Graphene and 2D Materials Growth. Adv. Mater. 2019, 31, 1801583.
  4. J. C. Dong, H. Wang, H. L. Peng, Z. F. Liu, K. L. Zhang*, F. Ding*,  Formation Mechanism of Overlapping Grain Boundaries in Graphene Chemical Vapor Deposition Growth. Chem. Sci. 2017,8, 2209-2214.
  5. Z. J. Wang, J. C. Dong(Co-first author, theory contribution), L. F. Li, G. C. Dong, Y. Cui, Y. Yang, W. Wei, R. Blume, Q. Li, L. Wang, X. Z. Xu, K. H. Liu, C. Barroo, J. W. M. Frenken, Q. Fu, X. H. Bao, R. Schlogl, F. Ding*, M. G. Willinger*, The Coalescence Behavior of Two-Dimensional Materials Revealed by Multiscale In Situ Imaging during Chemical Vapor Deposition Growth. ACS Nano 2020, 14, 1902.